一·單管區(qū)熔爐采用觸摸屏進行操作KQZ-10-11  設備用途：

1. 提純金屬、半導體、有機和無機的化學材料；

2. 區(qū)熔致勻（使一種欲摻入的雜質十分均勻地分布在整個單晶

體中）

3. 焊接和測量液體中的擴散率等。

二·單管區(qū)熔爐采用觸摸屏進行操作KQZ-10-11  設備優(yōu)點：

1·區(qū)熔加熱爐采用往復區(qū)熔的方式，閉環(huán)溫度控制，可靠的控制熔區(qū)的寬度問題；生長室的設計成功解決生長室的污染問題，

2·將加熱及保溫材料均設置在生長腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時抽真空；將流動高純氫氣通入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問題；

3·開發(fā)高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進行操作，任意設置區(qū)熔的溫度，區(qū)熔的速度及次數(shù)。

三·主要技術參數(shù)

1.加熱溫度：     1100℃ 使用溫度：≤1000℃(主加熱采用紅外測溫）

2.設備功率：          10Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五線制）

3.超高頻感應電源功率：  6Kw±10%  單相220v 50Hz（三相五線制）

4.主加熱方式：        高頻感應加熱

5.設計前配置輔助加熱：采用電阻加熱 加熱功率≤1kw 溫度范圍≤500℃，溫度可控可設定。
4.冷態(tài)極限真空度：   ≤5Pa

5·石墨舟尺寸：Ф50*400mm（內(nèi)徑*長度，半圓柱）（根據(jù)實際微調(diào)整）

6·石英管（腔室）尺寸：￠60*1000（根據(jù)實際加熱分布情況做調(diào)整）

7·加熱方式：        高頻感應加熱

9·區(qū)熔熔區(qū)長度及速度：400mm  位移行程 ≥500mm

快速：50-200mm/min（伺服控制）可根據(jù)客戶需求設計

10.爐內(nèi)充氣壓力：    ≤0.03MPa（氬氣  氫氣）

11·充氣系統(tǒng)：      自動充放氣（配置氫氣點火裝置）